STM32: 场管做理想二极管 – 关于RPi 3B电源电路

ST-LINK/V2-1调试器中包含测测量target的电压的电路,但在实际的应用中(如STM32 Nucleo系列开发板中)却并没有使用这部分的电路,但是在制作BRO-DBG-LINK V2开发板的时候,这部分电路是存在的,是可以测量target电压的,由于新增了一个肖特基二级管(ST-LINK/V2-1原理图中也是如此),使得测量的电压与实际的电压有约0.2v的压降,对于调试器来说,这并不影响使用。如果要解决这个问题就需要一个理想二级管。

STM32: 与ST-LINK/V2-1调试器兼容的开发板-BRO-DBG-LINK

  • 理想二极管

从相关的论坛(http://www.amobbs.com/thread-5658515-1-1.html)可以了解到,RPi 3B中的电源电路就包含这一部分的电路。RPi 3B相关的原理图如下(https://github.com/raspberrypi/documentation/blob/master/hardware/raspberrypi/schematics/RPI-3B-V1_2-SCHEMATIC-REDUCED.pdf):

2016_09_19_rpi3b_pwr_sch

这里可以看到图中黑色方框中的电路就等效于一个理想的二极管。相关的资料请看这里(http://www.amobbs.com/thread-5658515-1-1.html):

1. BCM857充当一个电压比较器,外部供电电压高于内部就使MOS导通

2. 这个是镜像电流源的变形,参考镜像电流源的原理自己分析一下就清楚了

3. 这个电路必须保证最小负载下两管Vbe失调电压都要小于MOSFET压降,非配对管Vbe差10mV以上也不是没有,而DMG2305UX的内阻为52毫欧,10mV压差对应的电流为192mA,BCM857最大失调电压为2mV,对应的电流为38mA,安全余量大很多。

4. 47k决定了MOSFET导通的最小电流阈值,仅此而已。

关于DMG2305UX的datasheet, 请看这里:http://www.diodes.com/_files/datasheets/DMG2305UX.pdf

关于BCM857BS的datasheet,请看这里:http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BCM857BV_BS_DS.pdf

  • 相关的参考文档
  1. https://github.com/raspberrypi/documentation/blob/master/hardware/raspberrypi/schematics/RPI-3B-V1_2-SCHEMATIC-REDUCED.pdf
  2. http://www.amobbs.com/thread-5658515-1-1.html
  3. http://www.diodes.com/_files/datasheets/DMG2305UX.pdf
  4. http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BCM857BV_BS_DS.pdf

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